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王若铮

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  • 1 复合绝缘层IGZO-TFT器件的制备工艺及特性研究
  • [会议论文王若铮,2014 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
  • 在玻璃衬底上,采用底栅极结构制备IGZO-TFTe,测试了不同氨氧比条件下IGZO-TFT的输出特性曲线,可以看出,通氧气为2sccm和3sccm时,器件工作在饱和区的电流较大,但是源漏电流IDS不太稳定,随漏源电压VDS的增大有一定幅度的上...

    关键词:薄膜晶体管   复合绝缘层   铟镓锌氧化物   制备工艺   底栅极结构   性能表征

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